本文摘要:即使3DNAND的每块钱成本与平面NAND相比过低,NAND闪存也已经从平面平稳地变更为3D,但DRAM仍保持着2D体系结构。

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即使3DNAND的每块钱成本与平面NAND相比过低,NAND闪存也已经从平面平稳地变更为3D,但DRAM仍保持着2D体系结构。同时,DRAM工艺的小型化也更加困难。主要是因为存储电容的长宽比随着元件工艺的小型化以圆形倍数减少。因此,为了缩短DRAM这样的内存寿命,需要在短时间内使用3DDRAM解决方案。

什么是3D超级鼓? 我们为什么需要这样的技术呢? 以下请听笔者的说明。平面DRAM由存储单元阵列和存储逻辑电路占据两侧,3DSuper-DRAM将存储单元阵列填充在存储逻辑电路上,因此芯片尺寸看起来不小,每片芯片产量也不多。

这意味着著3DSuper-DRAM的成本可以高于平面DRAM。3DSuper-DRAM和平面DRAM的结构比较重用了3DSuper-DRAM应用于平面DRAM的经验证的生产过程和组件体系结构。我们比较平面和3D两种DRAM,蓄积电容和蓄积逻辑电路应该不一样。

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它们唯一的区别是单元晶体管。平面DRAM不使用长时间凹形晶体管(recessedtransistor ),但3DSuper-DRAM是利用横向环绕栅极晶体管(sgt )的3dsuper-。如下图右图所示,存储容量浅的长宽比不会随着元件工艺变小而以圆形倍数减少。换句话说,平面DRAM的工艺缩小不是更困难。

根据我们的理解,DRAM工艺的迷你速度已经变慢了,生产成本也在上升。主要原因是存储容量的小型问题。这个问题应该怎么解决? 平面DRAM存储容量浅的长宽比不能随着工艺的微细化而变化或变更平面DRAM的存储容量,但如果用于存储单元3D填充技术,则不仅可以将芯片晶片的裸晶产量减少到4倍,而且可以再利用存储容量,因此,。

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