本文摘要:近日,由国家存储器基地主要贡献者长江存储科技有限公司(以下简称“长江存储”)和中科院微电子所牵头共享的3DNAND存储器研发项目取得新进展。

贝博app手机版

近日,由国家存储器基地主要贡献者长江存储科技有限公司(以下简称“长江存储”)和中科院微电子所牵头共享的3DNAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在首届IC咖啡国际智能技术产业峰会(ICTechSummit2017)上解释,32层3DNAND芯片成功通过了电气特性等指标,超出了预期的拒绝。该存储芯片由长江存储与微电子研究所三维存储R&D中心联合开发。

在微电子研究所三维存储R&D中心主任、长江存储与非技术R&D部高级技术总监霍宗良的领导下,一套完整的工艺器件和电路设计技术检测体系顺利建成,这是走向产业化具有标志性意义的关键一步。在大数据市场需求的驱动下,存储芯片已经成为电子信息领域的第二大集成电路产品。在存储芯片领域,中国多年来一直面临着市场需求大、缺乏自律知识产权和关键技术的困境。

积极开展海量存储技术研究和产品开发迫在眉睫。传统的平面与非门存储器在降低成本的同时面临着单元间串扰、单比特成本增加等技术瓶颈。

在存储技术上寻求一步一步的突破和创新是发展下一代存储的主流方式。3DNAND是一种创新的半导体存储技术,通过减少存储堆栈而不是增加器件的二维尺寸来拓展存储技术的发展空间。然而,其结构的高度复杂性给工艺生产带来了新的挑战。

贝博app下载

贝博app手机版

通过不懈努力,工艺团队克服了高深宽比光刻、低自由选择比光刻、叠层薄膜沉积、存储层组成、金属栅组成、双曝光金属线等关键技术难题,为构建多层填充结构的3DNAND阵列奠定了坚实基础。图1.3 dnand阵列TEM光存储器的可靠性是影响产品质量的重要因素。主要评估特征包括耐久性、数据维护特征、耦合和干扰。

世界上3DNAND领域已发表的研究成果非常有限。通过大量的实验和数据分析,器件团队找到了影响各种可靠性特性的关键因素,并与工艺团队紧密配合,完成了器件各种可靠性指标的优化,最终成功构建出所有可靠性参数合格。在电路设计层面,填充三维阵列的构建和研究面临着比平面与非门更简单的技术问题,因此需要结合三维器件和阵列结构的特点进行分析和优化。

设计团队对三维存储结构进行建模,采用可编程、可根据层数进行调制的加载电压配置,补偿了器件特性与阵列物理结构的差异,降低了单元串扰的影响。而且已经应用到很多创新的先进设备设计技术中,保证了芯片超越产品级的功能和性能指标。3DNAND存储芯片的研发得到了国家集成电路产业基金、紫光控股、湖北国鑫投资、湖北科技投资的大力支持。图2。

本文关键词:贝博app体育官网,贝博app下载,贝博app手机版

本文来源:贝博app体育官网-www.profilhom.com

相关文章